SK Hynix 将开始量产新款 HBM3E 芯片

SK海力士股价周四上午飙升逾 9%，此前该公司宣布已开始量产新版高带宽内存芯片，计划于年底前交付。

该产品将是世界上第一个 12 层版本的 HBM3E，HBM3E 是最新一代先进存储芯片，能够处理高端生成人工智能工作。

SK Hynix 表示，这款芯片的容量将达到 36 GB，是现有 HBM 芯片中容量最大的。该公司表示，与该公司 3 月份开始量产的上一款八层芯片相比，这款芯片的容量增加了 50%，同时厚度保持不变。

这家韩国巨头一直是高带宽内存芯片的主要供应商，这些芯片用于人工智能芯片组，包括 英伟达并计划在年底前交付最新产品。

这一举措正值全球第二大内存芯片制造商寻求继续保持其在人工智能内存芯片市场的主导地位之际。

HBM 是一种动态随机存取存储器，称为 DRAM，其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗。SK Hynix 美光科技 和 三星电子 是HBM芯片的三大主要制造商。

隔夜，美光公司在美国发布了令人惊讶的强劲第一财季销售和利润预测，表明 HBM 芯片需求旺盛将继续带来收益。 这家美国最大的计算机内存芯片制造商预计第一季度每股利润 1.74 美元，营收 87 亿美元。根据 LSEG 的普遍预期，这超过了市场预期的每股利润 1.65 美元，营收 82.8 亿美元。

受美光乐观预测和 SK 海力士公告的推动，亚洲芯片股周四上午上涨， 东京电子 上涨7%， 爱德万测试 上涨5%。全球最大的内存芯片制造商三星电子上涨超过3%。

基准韩国蓝筹股 Kospi 指数上涨 2%。

——路透社对本文亦有贡献。