ROHM 用于高压 xEV 系统的新型 SiC 肖特基势垒二极管：采用独特的封装设计，提高绝缘电阻
加利福尼亚州圣克拉拉和日本京都，2024 年 11 月 12 日 (环球通讯社) -- ROHM Semiconductor 今天宣布推出新型表面贴装 SiC 肖特基势垒二极管 (SBD)，该二极管可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。最初的产品阵容包括适用于车载充电器 (OBC) 等汽车应用的八种型号 (SCS2xxxNHR)，并计划于 2024 年…
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